“研磨”的目的是                。

增大接触面积，加快反应速率，使反应更充分

“研磨”的目的是增大接触面积，加快反应速率，使反应更充分。

“碱浸”中，有$\text{N}{{\text{a}}_{2}}\text{Mo}{{\text{O}}_{4}}$生成，其中$\rm Mo$元素的化合价为                。

$\\rm +6$

“碱浸”中，有$\text{N}{{\text{a}}_{2}}\text{Mo}{{\text{O}}_{4}}$生成，其中$\text{Mo}$元素的化合价为$\rm +6$价。

“沉铝”中，发生反应的离子方程式为                。“沉钼”中，发生反应的离子方程式为                。

${{\\left[ \\text{Al}{{(\\text{OH})}_{4}} \\right]}^{-}}+\\text{C}{{\\text{O}}_{2}}=\\text{Al}{{(\\text{OH})}_{3}}\\downarrow +\\text{HCO}_{3}^{-}$；$\\text{B}{{\\text{a}}^{2+}}+\\text{MoO}_{4}^{2-}=\\text{BaMo}{{\\text{O}}_{4}}\\downarrow $

“沉铝”中，通入过量的二氧化碳，发生反应的离子方程式为：${{\left[ \text{Al}{{(\text{OH})}_{4}} \right]}^{-}}+\text{C}{{\text{O}}_{2}}=\text{Al}{{(\text{OH})}_{3}}\downarrow +\text{HCO}_{3}^{-}$。“沉钼”中，反应的离子方程式为：$\text{B}{{\text{a}}^{2+}}+\text{MoO}_{4}^{2-}=\text{BaMo}{{\text{O}}_{4}}\downarrow $。

“沉钼”后所得滤液中主要存在的钠盐有$\rm NaCl$和$\rm Y$，$\rm Y$受热分解可制得纯碱，$\rm Y$为                。

$\\rm NaHCO_{3}$

“沉铝”后生成$\text{HCO}_{3}^{-}$，故“沉锄”后所得滤液中主要存在的钠盐有$\text{NaCl}$和$\text{NaHC}{{\text{O}}_{3}}$，$\text{NaHC}{{\text{O}}_{3}}$受热分解可制得纯碱。

高纯$\rm AIAs($砷化铝$\rm )$可用于芯片制造。芯片制造中的一种刻蚀过程如图所示。

①已知：$\rm Ga$和$\rm Al$同族，$\rm As$和$\rm N$同族。在${{\text{H}}_{2}}{{\text{O}}_{2}}$与上层$\rm GaAs$的反应中，$\rm As$元素的化合价变为$\rm +5$价，则该反应的氧化剂与还原剂物质的量之比为                。

②图中所示致密保护膜为一种氧化物，可阻止${{\text{H}}_{2}}{{\text{O}}_{2}}$刻蚀液与下层$\rm GaAs$反应，该氧化物为                。

$\\rm 4: 1$；$\\rm Al_{2}O_{3}$

${{\text{H}}_{2}}{{\text{O}}_{2}}$与$\text{GaAs}$的反应，$\text{GaAs}$中$\text{As}$元素的化合价由$\rm -3$价氧化为$\rm +5$价，作还原剂，过氧化氢中氧元素化合价由$\rm -1$价还原为$\rm -2$价，作氧化剂，则该反应的氧化剂与还原剂物质的量之比为$4:1$；结合图示信息，从元素守恒的角度，致密保护膜为$\text{A}{{\text{l}}_{2}}{{\text{O}}_{3}}$。