硅在元素周期表中的位置是                ，基态硅原子占据的最高能级的符号是                。

第三周期Ⅳ$\\rm A$族 ； $\\rm 3p$

硅原子序数$\rm 14$，位于元素周期表第三周期Ⅳ$\rm A$族，核外电子排布：$\text{1}{{\text{s}}^{\text{2}}}\text{2}{{\text{s}}^{\text{2}}}\text{2}{{\text{p}}^{\text{6}}}\text{3}{{\text{s}}^{\text{2}}}\text{3}{{\text{p}}^{\text{2}}}$，基态硅原子占据的最高能级的符号是$\rm 3p$；

$\rm CaC_{2}$俗称电石，该化合物中存在的化学键类型为                。$\rm ($不定项$\rm )$。

$\rm A$．离子键   $\rm B$．极性共价键   $\rm C$．非极性共价键   $\rm D$．配位键

$\\rm AC$

电石属于离子化合物，存在离子键，还存在碳碳非极性共价键；

下列说法正确的是                。$\rm ($不定项$\rm )$

$\rm A$．电负性：$\rm B\gt N\gt O$   $\rm B$．离子半径：$\rm P^{3-}\lt S^{2-}\lt Cl^{-}$

$\rm C$．第一电离能：$\rm Si\lt S\lt P$   $\rm D$．基态$\rm Cr^{2+}$的简化电子排布式：$\rm [Ar]3d^{4}$

$\\rm CD$

$\rm A$．同周期元素，从左到右元素电负性逐渐增强，电负性：$\rm B\lt N\lt O$，$\rm A$错误；

$\rm B$．电子层数越大，离子半径越大，电子层数相同，原子序数越大，离子半径越小，离子半径：$\rm P^{3-}\gt S^{2-}\gt Cl^{-}$，$\rm B$错误；

$\rm C$．同周期元素，从左到右元素第一电离能呈逐渐增大趋势，$\rm P$核外电子排布处于半充满的较稳定状态，第一电离能大于相邻族元素，则第一电离能：$\rm Si\lt S\lt P$，$\rm C$正确；

$\rm D$．$\rm Cr$原子序数$\rm 24$，基态$\rm Cr^{2+}$的简化电子排布式：$\rm [Ar]3d^{4}$，$\rm D$正确；

早在青铜器时代，人类就认识了与碳硅同主族的锡。锡的卤化物熔点数据如下表，

$\rm SnCl_{4}$气态分子的空间构型是                。

$\rm A$．正四面体形   $\rm B$．三角锥形   $\rm C$．角形   $\rm D$．直线形

$\\rm A$

$\rm SnCl_{4}$中$\rm Sn$杂化类型为$\rm sp^{3}$，无孤电子对，空间结构为正四面体；

结合变化规律说明上述熔点变化的原因：                。

$\\rm SnF_{4}$属于离子晶体，熔点较高，$\\rm SnCl_{4}$、$\\rm SnBr_{4}$、$\\rm SnI_{4}$属于分子晶体，分子晶体的相对分子量越大，分子间作用力越强，熔点越高

$\rm SnF_{4}$属于离子晶体，熔点较高，$\rm SnCl_{4}$、$\rm SnBr_{4}$、$\rm SnI_{4}$属于分子晶体，分子晶体的相对分子量越大，分子间作用力越强，熔点越高；

下列物质均为共价晶体且成键结构相似，其中熔点最低的是                。

$\rm A$．金刚石$\rm (C)$   $\rm B$．单晶硅$\rm (Si)$   $\rm C$．金刚砂$\rm (SiC)$   $\rm D$．氮化硼$\rm (BN$，立方相$\rm )$

$\\rm B$

共价晶体熔化时需破坏共价键，成键原子半径越小，键长越短，键能越大，熔点越高，则熔点最低的为单晶硅$\rm (Si)$；

$\rm Mg_{2}Si$晶体的晶胞示意图如下。每个$\rm Mg$原子位于$\rm Si$原子组成的四面体的中心。则$\rm 1$个$\rm Si$原子周围有                个紧邻的$\rm Mg$原子。已知$\rm Mg_{2}Si$的晶胞边长为$a\,\text{cm}$，阿伏加德罗常数的值为${{N}_{\text{A}}}$，则$\rm Mg_{2}Si$晶体的密度为                $\rm \;\rm g·cm^{-3}$。

$\\rm 8$ ； $\\dfrac{4\\times 76}{{{a}^{3}}\\times {{N}_{\\text{A}}}}$

根据$\rm Mg_{2}Si$晶体的晶胞示意图可知，$\rm 1$个$\rm Si$原子周围有$\rm 8$个紧邻的$\rm Mg$原子；$\rm Si$位于顶角和面心，个数：$8\times \dfrac{1}{8}+6\times \dfrac{1}{2}=4$，$\rm Mg$位于晶胞内部，个数为$\rm 8$，晶胞密度：$\rho =\dfrac{NM}{{{N}_{\text{A}}}V}=\dfrac{4\times 76}{{{a}^{3}}\times {{N}_{\text{A}}}}$。