在集成电路的制造过程中，多个复杂精密的工艺步骤相互衔接，共同构成了从原材料到成品芯片的完整流程，按集成电路制造流程中部分关键工艺的步骤，下列排序最合理的是（    ）。

晶圆制备→光刻→离子注入→蚀刻→金属化→封装

晶圆制备→离子注入→蚀刻→光刻→金属化→封装

晶圆制备→蚀刻→光刻→金属化→离子注入→封装

晶圆制备→金属化→离子注入→光刻→蚀刻→封装

本题考查科技常识。

晶圆是制造集成电路的基础材料，它是通过特殊的工艺由硅等半导体材料制成的圆形薄片，具有极高的纯度和表面平整度。只有先制备好晶圆，后续的工艺步骤才能在其基础上进行，所以晶圆制备是集成电路制造的起始步骤。光刻工艺就像是在晶圆上绘制“蓝图”。它使用光刻设备，通过光线将设计好的集成电路图案转移到覆盖在晶圆表面的光刻胶上。离子注入是在光刻确定好图案的基础上，将特定的杂质离子（如硼、磷等）注入到晶圆的特定区域，以改变这些区域半导体的电学性质，形成不同的半导体器件结构，实现芯片所需的电子功能。蚀刻是根据光刻形成的图案，去除晶圆表面不需要的材料，包括光刻胶以及下面的半导体材料或其他薄膜。金属化是在经过前面的工艺步骤形成了半导体器件和电路结构后，在晶圆表面沉积金属薄膜，并通过光刻和蚀刻等工艺形成金属连线，将各个器件连接起来，构成完整的电路系统。封装是集成电路制造的最后一步，它将制造好的芯片进行保护，安装在特定的封装外壳中，并引出引脚以便与外部电路连接。综上，排序最合理的是晶圆制备→光刻→离子注入→蚀刻→金属化→封装。A项正确，B、C、D三项错误。

故本题选A。