半导体掺杂对于半导体工业有着举足轻重的作用，其中一种技术是将掺杂源物质与硅晶体在高温（$800$到$1250$摄氏度）状态下接触，掺杂源物质的分子由于热运动渗透进硅晶体，温度越高掺杂效果越显著，下列说法正确的是$(\qquad)$

硅晶体在熔化时平均分子动能增加

这种渗透过程是自发可逆的

这种渗透过程是分子的扩散现象

温度越高掺杂效果越好是因为温度升高时，所有分子的热运动速率都增加

$\rm A$．晶体熔化时温度不变，因此平均分子动能不变，故$\rm A$错误；

$\rm B$．掺杂源物质的分子由于热运动渗透进硅晶体的表面，所以这种渗透过程是分子的扩散现象该过程为自发过程，其逆过程不能自发进行，故$\rm B$错误；

$\rm C$．这种渗透过程是分子的扩散现象，故$\rm C$正确；

$\rm D$．温度越高掺杂效果越好是因为温度升高时，分子的平均速率增大，并不是所有分子的热运动速率都增加，故$\rm D$错误。

故选：$\rm C$。