${{\text{A}}_{2}}{{\text{B}}_{2}}$的电子式为                ；${{\text{A}}_{2}}\text{B}$分子的空间构型是                ；$\rm E$在周期表中的位置是                。

 ；$\\rm V$形 ；第三周期第Ⅲ$\\rm A$族

①${{\text{A}}_{2}}{{\text{B}}_{2}}$为${{\text{H}}_{2}}{{\text{O}}_{2}}$，氢原子与氧原子之间形成一个极性共价键，氧原子与氧原子之间形成一个非极性共价键，电子式为：；

②${{\text{A}}_{2}}\text{B}$为${{\text{H}}_{2}}\text{O}$，其价层电子对数为$2+\dfrac{1}{2}\left( 6-2\times 1 \right)=2+2=4$，根据价层电子对互斥理论，其空间构型为$\rm V$形；

③$\rm E$为$\rm Al$元素，在周期表中的位置是第三周期第Ⅲ$\rm A$族；

比较$\rm D$和$\rm E$的第一电离能：                $\rm \lt $                $\rm ($填写元素符号$\rm )$。

$\\rm Al$ ；$\\rm Na$

$\rm D$为$\rm Mg$元素，$\rm E$为$\rm Al$元素，同周期第一电离能随着原子序数的增大，电离能有增大的趋势，但第二三周期反常，所以第一电离能$\rm Al\lt Mg$；

实验室制取$\rm X$单质的离子方程式：                。工业制取漂白液的离子反应方程式：                。

$\\rm Mn{{O}_{2}}+4{{\\text{H}}^{+}}+2C{{l}^{-}}\\underset{}{\\overset{{\\triangle }}{\\mathop{=}}}\\,M{{n}^{2+}}+C{{l}_{2}}\\uparrow +2{{\\text{H}}_{2}}$；$\\rm \\text Cl_{2}+2OH^{-}=Cl^{-}+ClO^{-}+\\text{H}_{2}\\text{O}$

①$\rm X$为$\rm Cl$元素，实验室用二氧化锰和浓盐酸制氯气，离子反应方程式为：$\rm Mn{{O}_{2}}+4{{\text{H}}^{+}}+2C{{l}^{-}}\underset{}{\overset{{\triangle }}{\mathop{=}}}\,M{{n}^{2+}}+C{{l}_{2}}\uparrow +2{{\text{H}}_{2}}$；

②工业制取漂白液是将氯气通入氢氧化钠溶液，其离子反应方程式为：$\rm C{{l}_{2}}+2O{{H}^{-}}=C{{l}^{-}}+Cl{{O}^{-}}+{{\text{H}}_{2}}\text{O}$；

$\rm E$和$\rm X$的最高价氧化物对应水化物两者发生反应的离子反应方程式：                。

$\\rm \\text{Al(OH}{{\\text{)}}_{3}}+3{{\\text{H}}^{+}}=A{{l}^{3+}}+3{{\\text{H}}_{2}}\\text{O}$

$\rm E$和$\rm X$的最高价氧化物对应水化物为$\rm Al{{\left( OH \right)}_{3}}$和$\rm HCl{{O}_{4}}$，两者发生反应的离子反应方程式为：$\rm \text{Al(OH}{{\text{)}}_{3}}+3{{\text{H}}^{+}}=A{{l}^{3+}}+3{{\text{H}}_{2}}\text{O}$；

镓$\left( _{31}\text{Ga} \right)$与$\rm E$为同主族元素，氮化镓$\left( \text{GaN} \right)$作为第三代半导体材料，具有耐高温、耐高电压等特性，随着$\rm 5G$技术的发展，$\text{GaN}$商用进入快车道。下列相关说法中，正确的是                $\rm ($填字母序号$\rm )$。

$\rm a$．$\rm Ga$位于元素周期表的第四周期$\rm p$区

$\rm b$．$\rm \text{GaN}$中$\rm Ga$的化合价为$\rm +3$

$\rm c$．$\rm \text{G}{{\text{a}}^{3+}}$的氧化性强于$\rm {{\text{E}}^{3+}}$的氧化性

$\rm d$．$\rm \text{G}{{\text{a}}^{3+}}$核外电子排布式为$\rm 1{{\text{s}}^{2}}2{{\text{s}}^{2}}2{{\text{p}}^{6}}3{{\text{s}}^{2}}3{{\text{p}}^{6}}4{{\text{s}}^{2}}4{{\text{p}}^{1}}$

$\\rm ab$

$\rm Ga$与$\rm E$为同主族元素，其位于第四周期第Ⅲ$\rm A$族，是$\rm p$区元素，$\rm a$项正确；$\rm GaN$中$\rm Ga$为金属，化合价为$\rm +3$价，$\rm b$项正确；$\rm Al$和$\rm Ga$同主族，$\rm Ga$的还原性大于$\rm Al$，则$\rm G{{a}^{3+}}$的氧化性小于$\rm A{{l}^{3+}}$，$\rm c$项错误；$\rm Ga$的核外电子排布式为：$\rm 1{{\text{s}}^{2}}2{{\text{s}}^{2}}2{{\text{p}}^{6}}3{{\text{s}}^{2}}3{{\text{p}}^{6}}3{{\text{d}}^{10}}4{{\text{s}}^{2}}4{{\text{p}}^{1}}$，所以$\rm G{{a}^{3+}}$核外电子排布式为：$\rm 1{{\text{s}}^{2}}2{{\text{s}}^{2}}2{{\text{p}}^{6}}3{{\text{s}}^{2}}3{{\text{p}}^{6}}3{{\text{d}}^{10}}$，$\rm d$项错误；故选：$\rm ab$；

$\text{X}{{\text{B}}_{2}}$是一种高效消毒剂，工业上用其处理中性废水中的锰，使$\text{M}{{\text{n}}^{2+}}$转化为$\text{Mn}{{\text{O}}_{2}}$沉淀除去，$\rm X$被还原至最低价，该反应的离子方程式为                。

$\\rm 2Cl{{O}_{2}}+5M{{n}^{2+}}+6{{\\text{H}}_{2}}\\text{O}=5Mn{{O}_{2}}\\downarrow +2C{{l}^{-}}+12{{\\text{H}}^{+}}$

由题意可知，$\rm Cl{{O}_{2}}$与$\rm M{{n}^{2+}}$发生氧化还原反应，生成$\rm Mn{{O}_{2}}$和$\rm C{{l}^{-}}$，根据化合价升降守恒，需要有水的参与，可得该反应的离子方程式为：$\rm 2Cl{{O}_{2}}+5M{{n}^{2+}}+6{{\text{H}}_{2}}\text{O}=5Mn{{O}_{2}}\downarrow +2C{{l}^{-}}+12{{\text{H}}^{+}}$。