$\rm O$、$\rm P$、$\rm S$三种元素中，电负性最小的元素名称是                ；键角：${{\text{H}}_{2}}\text{O}$                $\rm ($填“$\rm \gt $”、“$\rm \lt $”或“$\rm =$”$\rm )$。

磷；$\\rm \\gt $

已知同一周期从左往右元素的电负性依次增强，同一主族从上往下元素的电负性依次减弱，故$\rm O$、$\rm P$、$\rm S$三种元素中，电负性最小的元素名称是磷，$\rm H_{2}O$和$\rm H_{2}Se$均为$\rm V$形结构，$\rm O$、$\rm Se$均采用$\rm sp^{3}$杂化，由于$\rm O$的原子半径比$\rm Se$的小，导致$\rm H_{2}O$中价层电子对之间的排斥作用比$\rm H_{2}Se$的大，故键角：$\rm H_{2}O\gt H_{2}Se$；

肼$\rm ({{\text{H}}_{\text{2}}}\text{N}-\text{N}{{\text{H}}_{2}}\rm )$分子中孤电子对与$\sigma $键的数目之比为                ，肼的相对分子质量与甲醇相同，但沸点远高于甲醇的原因是                。

$\\rm 2: 5$；肼分子与甲醇都能形成分子间氢键，但肼分子的分子间氢键多

已知氮原子最外层上有$\rm 5$个电子，有$\rm 3$个未成对电子，故肼分子上的每个氮原子上都还有$\rm 1$对孤电子对，且单键均为$ \sigma$键，则肼$\rm (H_{2}N-NH_{2})$分子中孤电子对与$ \sigma$键的数目之比为$\rm 2:5$；

肼的相对分子质量与甲醇相同，但由于肼$\rm (H_{2}N-NH_{2})$分子间能够形成氢键，且数目较多，导致肼的沸点远高于甲醇；

正硝酸钠$\rm (N a_{3} N O_{4}\rm )$是一种重要的化工原料。$\rm N a_{3} N O_{4}$阴离子的空间结构为                ，其中心原子杂化方式为                杂化。

正四面体形；$ {\\mathrm{{sp}}}^{3}$

$\rm Na_{3}NO_{4}$阴离子即$\text{NO}_{\text{4}}^{\text{3-}}$中心原子$\rm N$周围的价层电子对数为：$\rm 4+\dfrac{\text{1}}{\text{2}}\times {(5+3-4}\times \text{2)}\rm =4$，根据价层电子对互斥理论可知，其空间结构为正四面体形，根据杂化轨道理论可知，其中心原子杂化方式为$\rm sp^{3}$杂化；

基态硒原子的价层电子排布式为                ；$\text{Se}{{\text{O}}_{\text{2}}}$晶体的熔点为$\rm 350\;\rm ^\circ\rm C$，加热易升华，固态$\text{Se}{{\text{O}}_{\text{2}}}$属于                晶体。

$4{\\mathrm{\\;s}}^{2}4{\\mathrm{p}}^{4}$；分子

已知$\rm Se$是$\rm 34$号元素，故基态硒原子的价层电子排布式为$\rm 4s^{2}4p^{4}$；$\rm SeO_{2}$晶体的熔点为$\rm 350\;\rm ^\circ\rm C$较低，加热易升华，具有分子晶体的特征，即固态$\rm SeO_{2}$属于分子晶体；

Ⅱ．甲硅烷$\text{Si}{{\text{H}}_{\text{4}}}$可用于制备多种新型无机非金属材料。

①热稳定性：$\text{Si}{{\text{H}}_{4}}$                $\text{N}{{\text{H}}_{3}}\rm ($填“$\rm \gt $”“$\rm \lt $”或“$\rm =$”$\rm )$。原因是                。

②$\text{Si}{{\text{H}}_{4}}$中$\rm H- Si- H$的键角大于$\text{N}{{\text{H}}_{3}}$中$\rm H- N- H$的键角，其键角差异的原因是                。

$\\rm \\lt $；$\\rm Si$的半径大于$\\mathrm{N}$，$\\mathrm{{Si}} - \\mathrm{H}$键长大于$\\text{N}-\\text{H}$键长，则$\\text{Si}-\\text{H}$键能小于$\\text{N}-\\text{H}$键能$\\rm (\\text{N}$的非金属性比硅大$\\rm )$；$\\text{Si}{{\\text{H}}_{4}}$分子中$\\text{Si}$原子没有孤对电子，$\\text{N}{{\\text{H}}_{3}}$分子中$\\text{N}$原子有$\\rm 1$对孤对电子，孤对电子越多，对成键电子对的斥力越大，键角越小

①原子半径：$\rm N\lt Si$，则键长：$\rm H-N\lt Si-H$，且非金属性$\rm N\gt Si$，故键能：$\rm H-N\gt Si-H$，则热稳定性：$\rm SiH_{4}\lt NH_{3}$；

②$\rm SiH_{4}$中$\rm H-Si-H$的键角为$\rm 109^\circ28^\prime$，$\rm NH_{3}$中$\rm H-N-H$的键角为$\rm 107.3^\circ$，则$\rm SiH_{4}$中$\rm H-Si-H$的键角大于$\rm NH_{3}$中$\rm H-N-H$的键角；$\rm SiH_{4}$中硅形成$\rm 4$个共价键无孤电子对，$\rm NH_{3}$中氮形成$\rm 3$个共价键有$\rm 1$对孤电子对，孤电子对与成键电子对之间的斥力大于成键电子对之间的斥力，则使得$\rm NH_{3}$中$\rm H-N-H$的键角小于$\rm SiH_{4}$中$\rm H-Si-H$的键角；

利用$\text{Si}{{\text{H}}_{4}}$与$\text{C}{{\text{H}}_{4}}$反应可制得碳化硅晶体，晶胞结构如图，硅原子位于立方体的顶点和面心，碳原子位于立方体的内部。

①碳化硅晶体中每个$\rm Si$原子周围距离最近的$\rm C$原子数目为                。

②已知碳化硅的晶胞边长为$ {a\;\rm nm}\left( 1\,\text{nm}={{10}^{-9}}\,\text{m} \right)$，阿伏加德罗常数为${{N}_{\text{A}}}$，晶胞中相邻两个碳原子的最短距离为                $\rm \;\rm nm$，碳化硅晶体的密度为                $\rm ($列出计算式$\rm )$。

$\\rm 4$；$\\dfrac{\\sqrt{2}}{2}{a}$；$\\dfrac{160}{{{10}^{-21}} {{{a}}^{3}} {{{N}}_{\\rm {A}}}}$

①由图可知，面心的$\rm Si$原子连接$\rm 2$个$\rm C$原子，面心的$\rm Si$原子为$\rm 2$个晶胞共有，则碳化硅晶体中每个$\rm Si$原子周围距离最近的$\rm C$原子数目为$\rm 4$；

②由图可知，晶胞中相邻两个碳原子之间的距离为面对角线的一半，晶胞边长为$a\rm \;nm$，则该距离为：$\dfrac{\sqrt{2}}{2}{a}$；硅原子位于立方体的顶点和面心，个数为$\rm 8\times \dfrac{1}{8}\rm +6\times \dfrac{1}{2}\rm =4$，$\rm 4$个碳原子位于立方体的内部，晶胞质量为$\dfrac{{4}\times {(28+12)}}{{N}{}_{\rm {A}}}{\;\rm g}=\dfrac{{160}}{{N}{}_{\rm {A}}}\;\rm g$，晶胞体积为$( a\times 10^{-7}) ^{3}\;\rm cm^{3}$，碳化硅晶体密度$ \rho=\dfrac{{m}}{{V}} =\dfrac{\dfrac{{160}}{{N}{}_{\rm {A}}}{\rm \;g}}{{a}\times {1}{{{0}}^{{-7}}}{{}^{{3}}}{\rm \;c}{{\rm {m}}^{{3}}}} =\dfrac{160}{{{10}^{-21}}{{{a}}^{{3}}}{{{N}}_{\rm {A}}}}\;\rm g/cm^{3}$。