$\text{SiC}{{\text{l}}_{4}}$的水解机理如下图所示$\rm ($“$\rm □$”代表$\text{Si}$的$\rm 3d$轨道$\rm )$。下列说法错误的是$(\qquad)$

上述过程涉及极性键的断裂和形成

水解过程中$\\text{Si}$的杂化方式有变化

$\\text{NC}{{\\text{l}}_{3}}$的水解机理与$\\text{SiC}{{\\text{l}}_{4}}$相同

相同条件下，$\\text{SiC}{{\\text{l}}_{4}}$比$\\text{CC}{{\\text{l}}_{4}}$易水解

$\rm A$．上述过程涉及$\text{Si}-\text{Cl}$极性键的断裂和$\text{Si}-\text{O}$极性键的形成，$\rm A$正确；

$\rm B$．水解过程的第一步中$\text{Si}$原子的成键数目由$\rm 4$增大为$\rm 5$，$\text{Si}$的杂化方式有变化，从最初的$\text{s}{{\text{p}}^{3}}$杂化变为$\text{s}{{\text{p}}^{3}}\text{d}$杂化，$\rm B$正确；

$\rm C$．$\text{NC}{{\text{l}}_{3}}$水解时${{\text{H}}_{2}}\text{O}$中的$\mathrm{H}$原子与$\text{NC}{{\text{l}}_{3}}$上的孤电子对结合，$\mathrm{O}$与$\text{Cl}$结合形成$\text{HClO}$，而$\text{SiC}{{\text{l}}_{4}}$上无孤电子对，故$\text{NC}{{\text{l}}_{3}}$的水解机理与$\text{SiC}{{\text{l}}_{4}}$不相同，$\rm C$错误；

$\rm D$．$\rm C$为第二周期元素，只有$2\text{s}$、$2\text{p}$轨道可以成键，最大配位数为$\rm 4$，无空轨道可以接受水的配位，因此不易水解。所以相同条件下，$\text{SiC}{{\text{l}}_{4}}$比$\text{CC}{{\text{l}}_{4}}$易水解，$\rm D$正确。

故选：$\rm C$