非金属卤化物中心原子具有${{\delta }^{+}}$和价层空轨道时可发生亲核水解；中心原子有孤电子对时，孤电子对进攻${{\text{H}}_{2}}\text{O}$的${{\text{H}}^{+}}$可发生亲电水解。$\text{SiC}{{\text{l}}_{4}}$亲核水解机理如图。下列说法错误的是$(\qquad)$

图示过程只有极性键的断裂与生成

图示过程中$\\text{Si}$有$\\rm 2$种杂化方式

$\\text{CC}{{\\text{l}}_{4}}$和${\\mathrm{PCl}_{3}}$均能发生亲核水解

$\\text{NC}{{\\text{l}}_{3}}$水解产物可能为$\\text{N}{{\\text{H}}_{3}}$和$\\text{HClO}$

$\rm A$．图示中有$\rm H-O$、$\rm Si-Cl$极性键断开，有$\rm Si-O$、$\rm H-Cl$极性键生成，$\rm A$正确；

$\rm B$．$\rm SiCl_{4}$的$\rm Si$杂化方式为$\rm sp^{3}$，与水分子中的$\rm O$原子成键后，周围有$\rm 5$个共价键，杂化方式为$\rm sp^{3}d$，$\rm B$正确；

$\rm C$．$\rm C$的最外层为$\rm L$层，没有$\rm d$轨道接受水中的孤电子对，${\mathrm{PCl}_{3}}$的中心原子$\rm P$上有孤电子对，发生亲电水解，二者均不能发生亲核水解，$\rm C$错误；

$\rm D$．$\text{NC}{{\text{l}}_{3}}$中心原子$\rm N$上有孤电子对，孤电子对进攻${{\text{H}}_{2}}\text{O}$的${{\text{H}}^{+}}$可发生亲电水解，得到$\rm NH_{3}$和$\rm HClO$，$\rm D$正确；

故选：$\rm C$