$\rm O$、$\rm P$、$\rm S$三种元素中，电负性最小的元素名称是                。

磷

已知同一周期从左往右元素的电负性依次增强，同一主族从上往下元素的电负性依次减弱，故$\rm O$、$\rm P$、$\rm S$三种元素中，电负性最小的元素名称是磷；

肼$\rm ({{\text{H}}_{2}}\text{N}-\text{N}{{\text{H}}_{2}}\rm )$分子中孤电子对与$\sigma $键的数目之比为                。

$\\rm 2:5$

已知氮原子最外层上有$\rm 5$个电子，有$\rm 3$个未成对电子，故肼分子上的每个氮原子上都还有$\rm 1$对孤电子对，且单键均为$\text{ }\!\!\sigma\!\!\text{ }$键，则肼$\rm (H_{2}N-NH_{2})$分子中孤电子对与$\text{ }\!\!\sigma$键的数目之比为$\rm 2:5$；

正硝酸钠$\rm (\text{N}{{\text{a}}_{3}}\text{N}{{\text{O}}_{4}}\rm )$是一种重要的化工原料。$\text{N}{{\text{a}}_{3}}\text{N}{{\text{O}}_{4}}$阴离子的空间结构为                其中心原子杂化方式为                杂化。

正四面体形 ；$\\rm sp^{3}$

$\rm Na_{3}NO_{4}$阴离子即$\text{NO}_{\text{4}}^{\text{3-}}$中心原子$\rm N$周围的价层电子对数为：$\rm 4+\dfrac{\text{1}}{\text{2}}\times \text{(5+3-4}\times \text{2)}\rm =4$，根据价层电子对互斥理论可知，其空间结构为正四面体形，根据杂化轨道理论可知，其中心原子杂化方式为$\rm sp^{3}$杂化；

基态硒原子的价层电子排布式为                ；$\text{Se}{{\text{O}}_{2}}$晶体的熔点为$\rm 350\;\rm ^\circ\rm C$，加热易升华，固态$\text{Se}{{\text{O}}_{2}}$属于                晶体。

$\\rm 4s^{2}4p^{4}$ ；分子

已知$\rm Se$是$\rm 34$号元素，故基态硒原子的价层电子排布式为$\rm 4s^{2}4p^{4}$；$\rm SeO_{2}$晶体的熔点为$\rm 350\;\rm ^\circ\rm C$较低，加热易升华，具有分子晶体的特征，即固态$\rm SeO_{2}$属于分子晶体；

Ⅱ．我国科研工作者利用甲硅烷$\rm (\text{Si}{{\text{H}}_{4}}\rm )$制备多种新型无机非金属材料。①热稳定性：$\text{Si}{{\text{H}}_{4}}$                $\text{N}{{\text{H}}_{3}}\rm ($填“$\rm \gt $”“$\rm \lt $”或“$\rm =$”$\rm )$。

②$\text{Si}{{\text{H}}_{4}}$中$\rm H-Si-H$的键角                $\text{N}{{\text{H}}_{3}}$中$\rm H-N-H$的键角$\rm ($填“$\rm \gt $”“$\rm \lt $”或“$\rm =$”$\rm )$。

$\\rm \\lt $； $\\rm \\gt $

①原子半径：$\rm N\lt Si$，则键长：$\rm H-N\lt Si-H$，且非金属性$\rm N\gt Si$，故键能：$\rm H-N\gt Si-H$，则热稳定性：$\rm SiH_{4}\lt NH_{3}$；

②$\rm SiH_{4}$中硅形成$\rm 4$个共价键无孤电子对，$\rm Si$为$\rm sp^{3}$杂化，$\rm H-Si-H$的键角为$\rm 109^\circ28^\prime$，$\rm NH_{3}$中氮形成$\rm 3$个共价键有$\rm 1$对孤电子对，$\rm N$也是$\rm sp^{3}$杂化，孤电子对与成键电子对之间的斥力大于成键电子对之间的斥力，$\rm H-N-H$的键角为$\rm 107.3^\circ$，故$\text{Si}{{\text{H}}_{4}}$中$\rm H-Si-H$的键角$\rm \gt \text{N}{{\text{H}}_{3}}$中$\rm H-N-H$的键角；

利用$\text{Si}{{\text{H}}_{4}}$与$\text{C}{{\text{H}}_{4}}$反应可制得碳化硅晶体，晶胞结构如图，硅原子位于立方体的顶点和面心，碳原子位于立方体的内部。

①碳化硅晶体中每个$\rm Si$原子周围等距且最近的$\rm C$原子数目为                。

②已知碳化硅的晶胞边长为$a$ $\rm nm$，阿伏加德罗常数为${{{N}}_{\text{A}}}$，碳化硅晶体的密度为                $\text{g}\cdot \text{c}{{\text{m}}^{-3}}$。

$\\rm 4$ ；$\\dfrac{160}{{{10}^{-21}}{{{a}}^{\\text{3}}}{{{N}}_{\\text{A}}}}$

①由图可知，面心的$\rm Si$原子连接$\rm 2$个$\rm C$原子，面心的$\rm Si$原子为$\rm 2$个晶胞共有，则碳化硅晶体中每个$\rm Si$原子周围距离最近的$\rm C$原子数目为$\rm 4$；

②硅原子位于立方体的顶点和面心，个数为$\rm 8\times \dfrac{1}{8}\rm +6\times \dfrac{1}{2}\rm =4$，$\rm 4$个碳原子位于立方体的内部，晶胞质量为$\dfrac{\text{4}\times \text{(28+12)}}{{N}{}_{\text{A}}}\ \text g=\dfrac{\text{160}}{{N}{}_{\text{A}}}\ \rm g$，晶胞体积为$\rm (a\times 10^{-7})^{3}\;\rm cm^{3}$，碳化硅晶体密度$\rho=\dfrac{{m}}{{V}} =\dfrac{\dfrac{\text{160}}{{N}{}_{\text{A}}}\ \text{g}}{{a}\times \text{1}{{\text{0}}^{\text{-7}}}{{}^{\text{3}}}\ \text{c}{{{\text m}}^{\text{3}}}} =\dfrac{160}{{{10}^{-21}}{{{a}}^{\text{3}}}{{{N}}_{\text{A}}}}\ \rm g/cm^{3}$。